MEMS器件溫度循環(huán)試驗(yàn)
試驗(yàn)范圍
1、MEMS傳感器:加速度傳感器、陀螺儀傳感器、壓力傳感器、慣性組合傳感器、聲學(xué)傳感器、氣體傳感器、溫度傳感器、溫度傳感器、光學(xué)傳感器、MEMS射頻器件、微型熱輻射傳感器、磁傳感器。
2、MEMS執(zhí)行器:DMD數(shù)字微鏡器件、噴墨打印頭、生物芯片、射頻MEMS、微結(jié)構(gòu)、微型揚(yáng)聲器、超聲波指紋識(shí)別等。
MEMS器件溫度循環(huán)試驗(yàn)
試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 38341-2019 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) MEMS器件的可靠性綜合環(huán)境試驗(yàn)方法
GB/T 26111 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 術(shù)語(yǔ)
GB 2423.1電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法
GB 2423.2電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法
GB 2423.3電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
GB 2423.5電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境規(guī)程 試驗(yàn)Ea:沖擊試驗(yàn)方法
GB 2423.6電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Eb:碰撞試驗(yàn)方法
GB 2423.10電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Fc:振動(dòng)(正弦)試驗(yàn)方法
健明迪檢測(cè)可靠性實(shí)驗(yàn)中心具備各種MEMS器件的可靠性綜合環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰Γ瑸镸EMS器件提供專業(yè)的溫度循環(huán)試驗(yàn)等服務(wù)。
MEMS器件溫度循環(huán)試驗(yàn)
試驗(yàn)背景
高、低溫交替環(huán)境會(huì)使器件內(nèi)部產(chǎn)生交變應(yīng)力,對(duì)于不同的材料可能會(huì)產(chǎn)生疲勞或者蠕變等效應(yīng),最終造成失效。MEMS器件溫度循環(huán)試驗(yàn)可在器件不帶電工作的情況下確定MEMS器件在高、低溫交替變化下的可靠性,試驗(yàn)對(duì)象為工況溫度會(huì)出現(xiàn)高低溫交替變化的器件。
健明迪檢測(cè)可靠性實(shí)驗(yàn)中心具備各種MEMS器件的可靠性綜合環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰Γ瑸镸EMS器件提供專業(yè)的溫度循環(huán)試驗(yàn)等服務(wù)。
MEMS器件溫度循環(huán)試驗(yàn)
試驗(yàn)方法
1、由于MEMS器件在工藝、結(jié)構(gòu),封裝上的特點(diǎn),其在高低溫交替變化下造成的應(yīng)力等因素可能會(huì)出現(xiàn)可靠性問(wèn)題。
2、樣品在規(guī)定條件下應(yīng)連續(xù)不中斷完成不少于10次循環(huán)運(yùn)行。在此期間,由于試驗(yàn)設(shè)計(jì)或設(shè)備故障,可中斷試驗(yàn),但中斷次數(shù)不應(yīng)超過(guò)規(guī)定循環(huán)總次數(shù)的10%。
3、試驗(yàn)溫度范圍宜采用-45℃~85℃,試驗(yàn)中15min內(nèi)升溫至高溫,停留60min,15min內(nèi)降溫至室溫,15min內(nèi)繼續(xù)降溫到低溫,停留60min,15min內(nèi)升溫至室溫。