1、MEMS傳感器：加速度傳感器、陀螺儀傳感器、壓力傳感器、慣性組合傳感器、聲學(xué)傳感器、氣體傳感器、溫度傳感器、溫度傳感器、光學(xué)傳感器、MEMS射頻器件、微型熱輻射傳感器、磁傳感器。
2、MEMS執(zhí)行器：DMD數(shù)字微鏡器件、噴墨打印頭、生物芯片、射頻MEMS、微結(jié)構(gòu)、微型揚(yáng)聲器、超聲波指紋識(shí)別等。

GB/T 38341-2019  微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) MEMS器件的可靠性綜合環(huán)境試驗(yàn)方法
GB/T 26111 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 術(shù)語
GB 2423.1電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)A：低溫試驗(yàn)方法
GB 2423.2電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法
GB 2423.3電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ca：恒定濕熱試驗(yàn)方法
GB 2423.5電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境規(guī)程 試驗(yàn)Ea：沖擊試驗(yàn)方法
GB 2423.6電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Eb：碰撞試驗(yàn)方法
GB 2423.10電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Fc：振動(dòng)（正弦）試驗(yàn)方法

MEMS器件低溫貯存試驗(yàn)可在器件不帶電工作的情況下確定MEMS器件在低溫下較長(zhǎng)時(shí)間貯存的可靠性，試驗(yàn)對(duì)象為貯存期間處于較低溫度環(huán)境的器件。
健明迪檢測(cè)可靠性實(shí)驗(yàn)中心具備各種MEMS器件的可靠性綜合環(huán)境試驗(yàn)?zāi)芰?，為MEMS器件提供專業(yè)的低溫貯存試驗(yàn)等服務(wù)。

1、若無其他規(guī)定，試驗(yàn)時(shí)間應(yīng)不小于72 h。宜采用最低試驗(yàn)溫度為-40℃。 2、試驗(yàn)前將待測(cè)器件取出，自然散熱2 h~48 h至室溫，最長(zhǎng)應(yīng)不超過96 h，然后在標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件中進(jìn)行測(cè)試。
3、根據(jù)不同器件采用相應(yīng)的功能測(cè)試手段，如器件無法實(shí)現(xiàn)其指標(biāo)中的功能即判定為失效：
a）器件如有內(nèi)置檢測(cè)電路，可根據(jù)內(nèi)置檢測(cè)電路獲得的故障碼判定器件是否失效；
b）采用X光成像檢測(cè)，若器件內(nèi)部有引線脫落、粘附等現(xiàn)象，即判定器件失效。
如有必要可進(jìn)一步進(jìn)行破壞性物理分析，以確定是否有未檢出的其他失效。