低氣壓試驗的目的 低氣壓試驗的試驗方法
公司簡介
健明迪檢測提供的低氣壓試驗的目的 低氣壓試驗的試驗方法，低氣壓試驗條件 1、試驗氣壓 GJB150不適用于飛行高度超過30000m的航天器、飛機或導彈上的裝備，具有CMA,CNAS認證資質。
低氣壓試驗條件
1、試驗氣壓
GJB 150不適用于飛行高度超過30 000m的航天器、飛機或導彈上的裝備，而GJB 360中給出了4 572~200 000m不同高度下對應的低氣壓值，GJB 548也給出了4 572~200 000m不同高度下對應的低氣壓值。
對比GJB 360與GJB 548的低氣壓-高度表，GJB 548共列出了A、B、C、D、E、F、G7個不同條件下的高度氣壓值，并且所給出的試驗條件有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小；
GJB 360給出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10個不同條件下的高度氣壓值，并且所列的高度-氣壓表中的試驗條件由A到試驗條件E有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小，而由試驗條件F到試驗條件J沒有呈現(xiàn)規(guī)律性。
與GJB 548所列的試驗條件對比，GJB 360 試驗條件增加了條件H到試驗條件J，對應的氣壓高度條件分別為：H：3 000m 70kPa；J：18 000m，7.6kPa；K：25 000m, 2.5 kPa 。
2、試驗時間
GJB 360B-2009規(guī)定：
若無其他規(guī)定，試驗樣品在低氣壓條件下的試驗時間，可從下列數(shù)值中選取：
5min、30min、1h、2h、4h和16h。
3、升降壓速率
通常不大于10kPa/min。
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低氣壓試驗標準
1）GJB 150.2A-2009 《軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法 第二部分 低氣壓（高度）試驗》
2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗方法 方法105低氣壓試驗》（等效美軍標MIL-STD-202F ）
3）GJB 548B-2005《微電子器件試驗方法和程序 方法1001 低氣壓（高空作業(yè)）》（等效美軍標MIL-STD-883D)
4）GB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗 總則》
5）GB/T 2423.21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗M低氣壓試驗方法》
6）GB/T 2423.25-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗方法》
7）GB/T 2423.26-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗方法》
8）GB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AMD 高溫/低氣壓綜合試驗訪求》
9）GB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程》
10）MIL-STD-810F 《環(huán)境工程考慮與實驗室試驗 低氣壓（高度）試驗》
11）溫度、壓力、高度關系GB1920
12）IEC 60068-2-41（1976）《基本環(huán)境試驗規(guī)程 第二部分 試驗 試驗Z/BM 高溫/低氣壓試驗》
低氣壓試驗的目的是確定元件和材料在低氣壓下耐電擊穿能力；確定密封元件耐受氣壓差不破壞的能力；檢驗低氣壓對元件工作特性的影響及低氣壓下的其他效應；有時候可用于確定機電元件的耐久性。
低氣壓試驗是常溫條件下的低氣壓試驗。若裝置元件的設備將在低溫低氣壓及高溫低氣壓的綜合條件下貯存和使用，而且能夠斷定高低溫和氣壓的綜合作用是造成失效的主要原因，常溫低氣壓試驗不能使用時，則應進行溫度-氣壓綜合環(huán)境試驗。
1、試驗氣壓
GJB 150不適用于飛行高度超過30 000m的航天器、飛機或導彈上的裝備，而GJB 360中給出了4 572~200 000m不同高度下對應的低氣壓值，GJB 548也給出了4 572~200 000m不同高度下對應的低氣壓值。
對比GJB 360與GJB 548的低氣壓-高度表，GJB 548共列出了A、B、C、D、E、F、G7個不同條件下的高度氣壓值，并且所給出的試驗條件有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小；
GJB 360給出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10個不同條件下的高度氣壓值，并且所列的高度-氣壓表中的試驗條件由A到試驗條件E有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小，而由試驗條件F到試驗條件J沒有呈現(xiàn)規(guī)律性。
與GJB 548所列的試驗條件對比，GJB 360 試驗條件增加了條件H到試驗條件J，對應的氣壓高度條件分別為：H：3 000m 70kPa；J：18 000m，7.6kPa；K：25 000m, 2.5 kPa 。
2、試驗時間
GJB 360B-2009規(guī)定：
若無其他規(guī)定，試驗樣品在低氣壓條件下的試驗時間，可從下列數(shù)值中選取：
5min、30min、1h、2h、4h和16h。
3、升降壓速率
通常不大于10kPa/min。
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低氣壓試驗標準
1）GJB 150.2A-2009 《軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法 第二部分 低氣壓（高度）試驗》
2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗方法 方法105低氣壓試驗》（等效美軍標MIL-STD-202F ）
3）GJB 548B-2005《微電子器件試驗方法和程序 方法1001 低氣壓（高空作業(yè)）》（等效美軍標MIL-STD-883D)
4）GB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗 總則》
5）GB/T 2423.21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗M低氣壓試驗方法》
6）GB/T 2423.25-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗方法》
7）GB/T 2423.26-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗方法》
8）GB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Z/AMD 高溫/低氣壓綜合試驗訪求》
9）GB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程》
10）MIL-STD-810F 《環(huán)境工程考慮與實驗室試驗 低氣壓（高度）試驗》
11）溫度、壓力、高度關系GB1920
12）IEC 60068-2-41（1976）《基本環(huán)境試驗規(guī)程 第二部分 試驗 試驗Z/BM 高溫/低氣壓試驗》
低氣壓試驗的目的是確定元件和材料在低氣壓下耐電擊穿能力；確定密封元件耐受氣壓差不破壞的能力；檢驗低氣壓對元件工作特性的影響及低氣壓下的其他效應；有時候可用于確定機電元件的耐久性。
低氣壓試驗是常溫條件下的低氣壓試驗。若裝置元件的設備將在低溫低氣壓及高溫低氣壓的綜合條件下貯存和使用，而且能夠斷定高低溫和氣壓的綜合作用是造成失效的主要原因，常溫低氣壓試驗不能使用時，則應進行溫度-氣壓綜合環(huán)境試驗。
